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12秋学期《数字电子技术基础Ⅰ》在线作业1
一,单选题
1. 寻址容量为16K×8的RAM需要______根地址线。
A. 4
B. 8
C. 14
D. 16
正确答案:C
2. 分半导体E2PROM,写人的内容,可以通过_____擦除。( )
A. 紫外线照射
B. 电信号
C. 口令
D. DOS命令
正确答案:B
3. 函数F =AB +BC,使F=1 的输入ABC组合为()。
A. ABC = 000
B. ABC = 010
C. ABC = 101
D. ABC = 110
正确答案:D
4. 和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能特点是( )
A. 集成度低,存取周期短
B. 集成度低,存取周期长
C. 集成度高,存取周期短
D. 集成度高,存取周期长
正确答案:A
5. 当内存储器系统中内存储器芯片较少时,其片选信号可以采用( )
A. 74SL138
B. 74LS245
C. 74LS244
D. 与门
正确答案:D
6. 若要设计一个脉冲序列为1101001110的序列脉冲发生器,应选用()个触发器。
A. 2
B. 3
C. 4
D. 10
正确答案:C
7. 下列电路,具有脉冲幅度鉴别作用的电路是( )。
A. 单稳态触发器
B. 施密特触发器
C. 多谐振荡器
D. 双稳态振荡器
正确答案:B
8. 半导体存储器的主要技术指标不包括( )
A. 存储容量
B. 存储速度
C. 可靠性
D. 安全性
正确答案:D
9. 在下列触发器中,有约束条件的是( )
A. 主从JK FF
B. 主从D FF
C. 同步RS FF
D. 边沿D FF
正确答案:C |
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